是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 44 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB12NM50T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET | |
STB12NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- | |
STB12NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- | |
STB12-O-0 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-2 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-3 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-4 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-5 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB12-O-6 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |