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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.41 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB12NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB12NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- |
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| STB12-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-3 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-4 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-5 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-6 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-7 | TE |
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| STB12-O-8 | TE |
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STD and STB Markers |
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