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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.98 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB12NM50ND_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO |
|
| STB12NM50NT4 | STMICROELECTRONICS |
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11A, 500V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK, 3 PIN |
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| STB12NM50T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET |
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| STB12NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- |
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| STB12NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- |
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| STB12-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-3 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-O-4 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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