5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB12NK80Z-S
STB12NK80Z-S PDF预览

STB12NK80Z-S

更新时间： 2024-02-21 15:59:24
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 217K
描述
N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STB12NK80Z-S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A
最大漏极电流 (ID)：10.5 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB12NK80Z-S 数据手册

 浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB12NK80Z-S的Datasheet PDF文件第7页 
STB12NK80Z-S  
N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 10.5A I2SPAK  
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STB12NK80Z-S  
800 V < 0.75 Ω 10.5 A 190 W  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.65 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
VERY GOOD MANUFACTURING  
REPEATIBILITY  
3
2
1
2
I SPAK  
DESCRIPTION  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established strip-  
based PowerMESH™ layout. In addition to pushing  
on-resistance significantly down, special care is tak-  
en to ensure a very good dv/dt capability for the  
most demanding applications. Such series comple-  
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-  
cluding revolutionary MDmesh™ products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
IDEAL FOR HIGH DENSITY LOW PROFILE  
ADAPTERS  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
2
STB12NK80Z-S  
B12NK80Z  
TUBE  
I SPAK  
February 2004  
1/9  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与STB12NK80Z-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB12NK80ZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STB12NM50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STB12NM50-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
STB12NM50FD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STB12NM50FD_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2
STB12NM50FD-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STB12NM50FDT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STB12NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2
STB12NM50N_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Powe
STB12NM50ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO

与STB12NK80Z-S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证