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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 44 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SSU2N60BTU | ROCHESTER | 1.8A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| SSU2N60BTU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSU2N80A | FAIRCHILD | Advanced Power MOSFET |
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| SSU2N90A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA |
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| SSU3055 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSU3055A | SAMSUNG | ADVANCED POWER MOSFET |
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