是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.8 A | 最大漏源导通电阻: | 5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 44 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SSU2N60BTU | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSU2N60BTU | ROCHESTER |
获取价格 |
1.8A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | |
SSU2N60BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
SSU2N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET | |
SSU2N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA | |
SSU3055 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SSU3055A | SAMSUNG |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET | |
SSU3055L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 | |
SSU3055LA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251AA | |
SSU3N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA | |
SSU3N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA |