SSU2N60B

更新时间： 2024-02-02 12:04:08

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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9页	645K
描述
600V N-Channel MOSFET

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SSU2N60B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSU2N60B 数据手册

Typical Characteristics (Continued)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.2

1.1

1.0

※Notes :

0.9

1. V_GS= 0 V

※

Notes :

2. I_D= 250 μA

1. V_GS= 10 V

2. I_D= 1.0 A

0.8

-100

-50

100

150

200

-50

100

150

200

T_J, Junction Temperature [^oC]

T, Junction Temperature [^oC]

Figure 7. Breakdown Voltage Variation

vs Temperature

Figure 8. On-Resistance Variation

vs Temperature

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

Operation in This Area

is Limited by R _DS(on)

10¹

100 µs

1 ms

10 ms

10⁰

-1

※

Notes :

1. T_C= 25 ^oC

2. T = 150 ^oC

3. Single Pulse

-2

10²

10³

100

125

150

℃

T_C, Case Temperature [

]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Maximum Drain Current

vs Case Temperature

D = 0 .5

※

N otes

1. Z_θ_JC(t)

2. D uty Factor, D =t₁/t₂

3. T_JMT _CP _{D M}Z _θ_JC(t)

1 0 ⁰

℃

/W M ax.

2.87

0 .2

0 .1

0 .0 5

P_DM

0 .0 2

1 0 ^-1

0 .0 1

t₁

t₂

sin g le p u lse

1 0^-5

1 0^-4

1 0^-3

1 0^-2

1 0^-1

1 0⁰

1 0¹

t₁, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

Rev. B, November 2001

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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