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SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T PDF预览

SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T

更新时间： 2024-11-23 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 时钟内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 310K
描述
SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T

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SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：XFBGA-8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大时钟频率 (fCLK)：75 MHz
数据保留时间-最小值：100耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PBGA-B8内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX1
并行/串行：SERIAL编程电压：1.8 V
反向引出线：YES串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T 数据手册

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Not recommended for new designs. Please  
contact Microchip Sales for more details.  
8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash  
SST25WF080  
A Microchip Technology Company  
Not Recommended for New Designs  
The SST25WF080 is a member of the Serial Flash 25 Series family and features  
a four-wire, SPI-compatible interface that allows for a low pin-count package  
which occupies less board space and ultimately lowers total system costs.  
SST25WF080 SPI serial flash memory is manufactured with SST proprietary,  
high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and  
thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability com-  
pared with alternate approaches.  
Features  
• Single Voltage Read and Write Operations  
• End-of-Write Detection  
– 1.65-1.95V  
– Software polling the BUSY bit in Status Register  
– Busy Status readout on SO pin  
• Serial Interface Architecture  
• Reset Pin (RST#) or Programmable Hold Pin  
(HOLD#) option  
– SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3  
• High Speed Clock Frequency  
– Hardware Reset pin as default  
– Hold pin option to suspend a serial sequence without  
deselecting the device  
– 75 MHz  
• Superior Reliability  
• Write Protection (WP#)  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
– Enables/Disables the Lock-Down function of the status  
register  
• Ultra-Low Power Consumption:  
• Software Write Protection  
– Active Read Current: 2 mA (typical @ 33 MHz)  
– Standby Current: 5 µA (typical)  
– Write protection through Block-Protection bits in status  
register  
• Flexible Erase Capability  
• Temperature Range  
– Uniform 4 KByte sectors  
– Uniform 32 KByte overlay blocks  
– Uniform 64 KByte overlay blocks  
– Industrial: -40°C to +85°C  
• Packages Available  
• Fast Erase and Byte-Program:  
– 8-lead SOIC (150 mils)  
– 8-bump XFBGA  
– Chip-Erase Time: 35 ms (typical)  
– Sector-/Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µS (typical)  
• All devices are RoHS compliant  
• Auto Address Increment (AAI) Programming  
– Decrease total chip programming time over Byte-Pro-  
gram operations  
www.microchip.com  
©2012 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25024B  
03/12  
1234567...33

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与SST25WF080-75-4I-ZAE-GCN-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST25WF080-75-4I-ZAF SST

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 		8Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF080B MICROCHIP

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 		8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF080B-40I/SN MICROCHIP

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 		8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF080BT-40E/SN MICROCHIP

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 		Flash
SST25WF080BT-40I/NP MICROCHIP

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 		8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF080BT-40I/SN MICROCHIP

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 		FLASH 1.8V PROM
SST25WF512 SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF512_10 SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF512-40-4I-SAF MICROCHIP

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 		512K X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8
SST25WF512-40-5I-QAE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash

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