是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP, | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 18 weeks |
风险等级: | 5.73 | 最大时钟频率 (fCLK): | 40 MHz |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 1.8 V |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SST25WF080B-40I/SN | MICROCHIP |
类似代替 |
8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST25WF512 | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST25WF512_10 | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST25WF512-40-4I-SAF | MICROCHIP |
获取价格 |
512K X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 | |
SST25WF512-40-5I-QAE | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST25WF512-40-5I-QAF | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST25WF512-40-5I-SAE | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST25WF512-40-5I-SAF | SST |
获取价格 |
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash | |
SST2602 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | |
SST2603 | SECOS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | |
SST2604 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |