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SST25WF080BT-40I/SN PDF预览

SST25WF080BT-40I/SN

更新时间： 2024-11-23 20:03:35
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 1672K
描述
FLASH 1.8V PROM

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SST25WF080BT-40I/SN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.73最大时钟频率 (fCLK)：40 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX1封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：1.8 V
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

SST25WF080BT-40I/SN 数据手册

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SST25WF080B  
8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash  
Features  
Product Description  
• Single Voltage Read and Write Operations  
- 1.65-1.95V  
SST25WF080B is a member of the Serial Flash 25  
Series family and feature a four-wire, SPI-compatible  
interface that allows for a low pin-count package which  
occupies less board space and ultimately lowers total  
system costs. SPI serial flash memory is manufactured  
with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash  
technology. The split-gate cell design and thick-oxide  
tunneling injector attain better reliability and manufac-  
turability compared with alternate approaches.  
• Serial Interface Architecture  
- SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3  
• High Speed Clock Frequency  
- 40MHz  
• Dual Input/Output Support  
- Fast-Read Dual-Output Instruction (3BH)  
- Fast-Read Dual I/O Instruction (BBH)  
• Superior Reliability  
This Serial Flash significantly improve performance  
and reliability, while lowering power consumption. The  
device writes (Program or Erase) with a single power  
supply of 1.65-1.95V. The total energy consumed is a  
function of the applied voltage, current, and time of  
application. Since for any given voltage range, the  
SuperFlash technology uses less current to program  
and has a shorter erase time, the total energy con-  
sumed during any Erase or Program operation is less  
than alternative flash memory technologies.  
- Endurance: 100,000 Cycles  
- Greater than 20 years Data Retention  
• Ultra-Low Power Consumption:  
- Active Read Current: 4 mA (typical)  
- Standby Current: 10 µA (typical)  
- Power-down Mode Standby Current: 4 µA (typical)  
• Flexible Erase Capability  
- Uniform 4 KByte sectors  
SST25WF080B is offered in 8-lead SOIC and 8-contact  
USON packages. See Figure 2-1 for the pin assign-  
ments.  
- Uniform 64 KByte overlay blocks  
• Page Program Mode  
- 256 Bytes/Page  
• Fast Erase and Page-Program:  
- Chip-Erase Time: 500 ms (typical)  
- Sector-Erase Time: 40 ms (typical)  
- Block-Erase Time: 80 ms (typical)  
- Page-Program Time: 0.8 ms/ 256 bytes (typical)  
• End-of-Write Detection  
- Software polling the BUSY bit in Status Register  
• Hold Pin (HOLD#)  
- Suspend a serial sequence without deselect-  
ing the device  
• Write Protection (WP#)  
- Enables/Disables the Lock-Down function of  
the status register  
• Software Write Protection  
- Write protection through Block-Protection bits  
in status register  
• Temperature Range  
- Industrial: -40°C to +85°C  
• Packages Available  
- 8-lead SOIC (150 mils)  
- 8-contact USON (2mm x 3mm)  
• All devices are RoHS compliant  
2013-2017 Microchip Technology Inc.  
DS20005164D-page 1  
1234567...41

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SST25WF080BT-40I/SN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST25WF080B-40I/SN MICROCHIP

类似代替

 8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash

与SST25WF080BT-40I/SN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST25WF512 SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF512_10 SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF512-40-4I-SAF MICROCHIP

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 		512K X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST2602 SECOS

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 		N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
SST2603 SECOS

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 		P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
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 		N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

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