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SST25WF040BT-40I/NP

更新时间： 2024-11-23 19:39:07

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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41页	1681K
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FLASH 1.8V PROM

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SST25WF040BT-40I/NP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HVSON,	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	1.72
最大时钟频率 (fCLK)：	40 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	1	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	1.8 V	座面最大高度：	0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	2 mm
Base Number Matches：	1

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SST25WF040B

4 Mbit 1.8V SPI Serial Flash

Features

Product Description

• Single Voltage Read and Write Operations

SST25WF040B is a member of the Serial Flash 25

Series family and feature a four-wire, SPI-compatible

interface that allows for a low pin-count package which

occupies less board space and ultimately lowers total

system costs. SPI serial flash memory is manufactured

with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash

technology. The split-gate cell design and thick-oxide

tunneling injector attain better reliability and manufac-

turability compared with alternate approaches.

- 1.65-1.95V

• Serial Interface Architecture

- SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3

• High Speed Clock Frequency

- 40MHz

• Dual Input/Output Support

- Fast-Read Dual-Output Instruction (3BH)

- Fast-Read Dual I/O Instruction (BBH)

• Superior Reliability

This Serial Flash significantly improve performance

and reliability, while lowering power consumption. The

device writes (Program or Erase) with a single power

supply of 1.65-1.95V. The total energy consumed is a

function of the applied voltage, current, and time of

application. Since for any given voltage range, the

SuperFlash technology uses less current to program

and has a shorter erase time, the total energy con-

sumed during any Erase or Program operation is less

than alternative flash memory technologies.

- Endurance: 100,000 Cycles

- Greater than 20 years Data Retention

• Ultra-Low Power Consumption:

- Active Read Current: 4 mA (typical)

- Standby Current: 10 µA (typical)

- Power-down Mode Standby Current: 4 µA (typical)

• Flexible Erase Capability

- Uniform 4 KByte sectors

SST25WF040B is offered in 8-lead SOIC and 8-contact

USON packages. See Figure 2-1 for the pin assign-

ments.

- Uniform 64 KByte overlay blocks

• Page Program Mode

- 256 Bytes/Page

• Fast Erase and Page-Program:

- Chip-Erase Time: 400 ms (typical)

- Sector-Erase Time: 40 ms (typical)

- Block-Erase Time: 80 ms (typical)

- Page-Program Time: 0.8 ms/ 256 bytes (typical)

• End-of-Write Detection

- Software polling the BUSY bit in Status Register

• Hold Pin (HOLD#)

- Suspend a serial sequence without deselecting the

device

• Write Protection (WP#)

- Enables/Disables the Lock-Down function of the

status register

• Software Write Protection

- Write protection through Block-Protection bits in

status register

• Temperature Range

- Industrial: -40°C to +85°C

• Packages Available

- 8-lead SOIC (150 mils)

- 8-contact USON (2mm x 3mm)

• All devices are RoHS compliant

 2013-2017 Microchip Technology Inc.

DS20005193D-page 1

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