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SSP5N90AJ69Z

更新时间： 2024-09-16 20:00:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	251K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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SSP5N90AJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	529 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	2.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSP5N90AJ69Z 数据手册

SSP5N90A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 900 V

R_DS(on)= 2.9 W

I_D= 5 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ V_DS= 900V

Low R_DS(ON): 2.300 W (Typ.)

TO-220

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

900

Units

V_DSS

Continuous Drain Current (T_C=25 C)

Continuous Drain Current (T_C=100 ^OC)

Drain Current-Pulsed

I_D

3.2

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

529

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

1.5

140

1.12

Total Power Dissipation (T_C=25 C)

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/ ^OC

Linear Derating Factor

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

^OC

Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

0.89

Units

R _q

0.5

^OC /W

R _q

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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