5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 320 ns | 最大开启时间（吨）： | 210 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP6N70A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N90AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP70N10A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| SSP7150N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| SSP7200N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| SSP7300N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFETnull |
|
| SSP7404NA | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| SSP7404NA_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
