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SSP7436N

更新时间： 2024-09-16 09:04:43
品牌 Logo 应用领域
SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
N-Channel Enhancement MOSFET

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SSP7436N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：ROHS COMPLIANT, MINIATURE, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0046 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSP7436N 数据手册

 浏览型号SSP7436N的Datasheet PDF文件第2页 
SSP7434N  
27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 m  
N-Channel Enhancement MOSFET  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOP-8PP  
DESCRIPTION  
B
These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process  
to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.  
Typical applications are DC-DC converters and power management in  
portable and battery-powered products such as computers, printers,  
PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.  
D
C
θ
e
E
FEATURES  
Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life.  
Low thermal impedance copper leadframe SOP-8PP saves board  
space.  
A
b
d
g
Fast switching speed.  
High performance trench technology.  
F
G
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
PRODUCT SUMMARY  
PRODUCT SUMMARY  
A
B
C
D
E
F
1.00  
5.70  
0.20  
3.61  
5.40  
0.08  
3.60  
1.10  
5.80  
0.30  
3.98  
6.10  
0.20  
3.99  
θ
b
d
e
g
0°  
0.33  
12°  
0.51  
1.27BSC  
1.35  
1.10  
1.75  
-
ID(A)  
27  
24  
  
Drain  
VDS(V)  
RDS(on) (m  
4.9@VGS= 10V  
5.9@VGS= 4.5V  
G
30  
  
Gate  
  
Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AND THERMAL DATA(TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
VDS  
RATING  
UNIT  
30  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
V
TA=25°C  
TA=70°C  
24  
Continuous Drain Current A  
ID  
A
20  
Pulsed Drain Current B  
Continuous Source Current (Diode Conduction) A  
IDM  
IS  
60  
A
A
2.9  
TA=25°C  
TA=70°C  
5.0  
Power Dissipation A  
PD  
W
3.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 ~ 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE DATA  
t≦10 sec  
RθJA  
25  
65  
Maximum Junction to Ambient A  
°C / W  
Steady-State  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
27-Jul-2010 Rev. A  
Page 1 of 2  
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