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SSP7N60BJ69Z

更新时间： 2024-01-27 04:18:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 908K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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SSP7N60BJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：420 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSP7N60BJ69Z 数据手册

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November 2001  
SSP7N60B/SSS7N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
7.0A, 600V, R  
= 1.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 38 nC)  
Low Crss ( typical 23 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
SSP Series  
TO-220F  
SSS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSP7N60B  
SSS7N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
7.0  
4.4  
28  
7.0 *  
4.4 *  
28 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
420  
7.0  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14.7  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
147  
48  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.18  
0.38  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
SSP7N60B  
SSS7N60B  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
0.85  
0.5  
2.6  
--  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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