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SSP7N60BJ69Z

更新时间： 2024-01-20 01:25:49

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	908K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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技术参数
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SSP7N60BJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSP7N60BJ69Z 数据手册

Typical Characteristics

V_GS

Top :

15.0V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

10¹

Bottom: 5.0V

150^oC

25^oC

10⁰

-55^oC

※

Notes :

※

Notes :

1. V = 40V

1. 250 s Pulse Test

^DSμ

-1

2. 250 s Pulse Test

℃

2. T_C= 25

-1

10⁰

10¹

V_GS, Gate-Source Voltage [V]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

10¹

V_GS= 10V

V_GS= 20V

10⁰

℃

150

℃

※

Notes :

1. V = 0V

^GSμ

2. 250 s Pulse Test

※

℃

Note : T = 25

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I_D, Drain Current [A]

V_SD, Source-Drain voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

and Temperature

3000

2500

2000

1500

1000

500

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C

C_rss= C

V_DS= 120V

V_DS= 300V

V_DS= 480V

iss

oss

※

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

※

Note: I_D= 7.0 A

-1

10⁰

Q_G, Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. A, November 2001

1 234 5 6 7...10

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与SSP7N60BJ69Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SSP7N80A	FAIRCHILD	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
SSP80N06A	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
SSPA	CPI	Rack-Mount Solid State Power Amplifiers	获取价格
SSPB0015V	ETC	Industrial Control IC	获取价格
SSPB0100V	ETC	Industrial Control IC	获取价格
SSPB0250V	ETC	Industrial Control IC	获取价格