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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 550 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 320 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 210 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP6N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSP6N60A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP6N70A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP6N90AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP70N10A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| SSP7150N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| SSP7200N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| SSP7300N | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFETnull |
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