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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP3N80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
|
| SSP3N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSP3N80AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP3N90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
|
| SSP3N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP3N90AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 6.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP-4504DE3R3M | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 3.3ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
|
| SSP-4504DE4R7M | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 4.7ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
|
| SSP45N10 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| SSP45N10_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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