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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP4N55A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 550V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP4N60 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220VAR |
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| SSP4N60A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP4N60AS | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSP4N60AS | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP4N60ASJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP4N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| SSP4N60BJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP4N70 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSP4N70A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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