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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSP4N60B
SSP4N60B PDF预览

SSP4N60B

更新时间： 2024-11-05 22:21:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 890K
描述
600V N-Channel MOSFET

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SSP4N60B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.63Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSP4N60B 数据手册

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SSP4N60B/SSS4N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
•
4.0A, 600V, R  
= 2.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 22 nC)  
Low Crss ( typical 14 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
TO-220F package isolation = 4.0kV (Note 6)  
D
G
TO-220  
SSP Series  
TO-220F  
SSS Series  
S
G
D S  
G D  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSP4N60B  
SSS4N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4.0  
2.5  
16  
4.0 *  
2.5 *  
16 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
240  
4.0  
10  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
100  
0.8  
33  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.26  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
SSP4N60B  
SSS4N60B  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
1.25  
0.5  
3.79  
--  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, June 2002  
1234567...10

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SSP4N60B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQP33N10 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，33 A，52 mΩ，TO-220
FQP8N80C ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，8 A，1.55 Ω，TO-220

与SSP4N60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSP4N60BJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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SSP4N80AJ69Z FAIRCHILD

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