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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 529 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP5N90AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP60N05 | SAMSUNG |
获取价格 |
N CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSP60N06 | SAMSUNG |
获取价格 |
N CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSP6N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSP6N55A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 550V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSP6N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| SSP6N60A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP6N70A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSP6N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSP6N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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