生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.68 |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.5 A |
最大漏源导通电阻: | 5.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 5 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSP1N55 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SSP1N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
SSP1N60 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SSP1N60A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET | |
SSP1N60AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SSP1N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
SSP-1R-1000B | CRANE |
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950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN | |
SSP-1R-1000B | MERRIMAC |
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SINGLE SIDEBAND MODULATORS | |
SSP-1R-10B | MERRIMAC |
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SINGLE SIDEBAND MODULATORS | |
SSP-1R-10B | CRANE |
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Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN |