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SSP1N60AJ69Z

更新时间： 2024-09-13 20:03:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	251K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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SSP1N60AJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	雪崩能效等级（Eas）：	44 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSP1N60AJ69Z 数据手册

SSP1N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

R_DS(on)= 12 W

I_D= 1 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ V_DS= 600V

Low R_DS(ON): 9.390 W (Typ.)

TO-220

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25^o

Continuous Drain Current (T_C=100

Drain Current-Pulsed

Value

600

Units

V_DSS

)

^oC

I_D

)

0.6

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25 ^o

V/ns

3.4

3.0

)

P_D

T_J, T_STG

T_L

Linear Derating Factor

0.27

W/ ^o

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

3.67

Units

0.5

qJC

^oC

R _qJA

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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与SSP1N60AJ69Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSP1N60B	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
SSP-1R-1000B	CRANE	获取价格	950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-1000B	MERRIMAC	获取价格	SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B	MERRIMAC	获取价格	SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B	CRANE	获取价格	Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-XXXB	CRANE	获取价格	RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP1TKG	CIT	获取价格	CIT SWITCH
SSP1TKQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
SSP1TKR	CIT	获取价格	CIT SWITCH
SSP1TRG	CIT	获取价格	CIT SWITCH