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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSP1N60B
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SSP1N60B

更新时间： 2024-09-12 22:21:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 853K
描述
600V N-Channel MOSFET

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SSP1N60B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：34 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSP1N60B 数据手册

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November 2001  
SSP1N60B/SSS1N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
1.0A, 600V, R  
= 12Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 5.9 nC)  
Low Crss ( typical 3.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
SSP Series  
TO-220F  
SSS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSP1N60B  
SSS1N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
1.0  
0.6  
3.0  
1.0 *  
0.6 *  
3.0 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
50  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
1.0  
3.4  
5.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
34  
17  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.27  
0.13  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
SSP1N60B  
SSS1N60B  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
3.67  
0.5  
7.48  
--  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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SSP1N60B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与SSP1N60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSP-1R-1000B CRANE

获取价格

 		950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-1000B MERRIMAC

获取价格

 		SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B MERRIMAC

获取价格

 		SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B CRANE

获取价格

 		Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-XXXB CRANE

获取价格

 		RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP1TKG CIT

获取价格

 		CIT SWITCH
SSP1TKQ CIT

获取价格

 		CIT SWITCH
SSP1TKR CIT

获取价格

 		CIT SWITCH
SSP1TRG CIT

获取价格

 		CIT SWITCH
SSP1TRQ CIT

获取价格

 		CIT SWITCH

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