生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 1 A | 最大漏源导通电阻: | 12 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSP1N60A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET | |
SSP1N60AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SSP1N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
SSP-1R-1000B | CRANE |
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950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN | |
SSP-1R-1000B | MERRIMAC |
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SINGLE SIDEBAND MODULATORS | |
SSP-1R-10B | MERRIMAC |
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SINGLE SIDEBAND MODULATORS | |
SSP-1R-10B | CRANE |
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Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN | |
SSP-1R-XXXB | CRANE |
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RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN | |
SSP1TKG | CIT |
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CIT SWITCH | |
SSP1TKQ | CIT |
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CIT SWITCH |