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SSP1N60A

更新时间： 2024-10-31 03:30:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 253K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSP1N60A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：44 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：34 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSP1N60A 数据手册

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SSP1N60A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 600 V  
RDS(on) = 12 W  
ID = 1 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ VDS = 600V  
Low RDS(ON) : 9.390 W (Typ.)  
TO-220  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25o  
Continuous Drain Current (TC=100  
Drain Current-Pulsed  
Value  
600  
1
Units  
VDSS  
V
)
oC  
C
ID  
A
)
0.6  
3
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
A
V
1
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2
O
44  
1
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25 o  
mJ  
V/ns  
W
3.4  
3.0  
34  
1
O
3
O
)
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
Linear Derating Factor  
0.27  
W/ o  
C
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
3.67  
--  
Units  
R
--  
0.5  
--  
qJC  
oC  
R
q
CS  
/W  
R qJA  
Junction-to-Ambient  
62.5  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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SSP1N60A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RFP70N06_NL FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFP30N06LE FAIRCHILD

功能相似

 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

与SSP1N60A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSP1N60AJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SSP1N60B FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
SSP-1R-1000B CRANE

获取价格

 		950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-1000B MERRIMAC

获取价格

 		SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B MERRIMAC

获取价格

 		SINGLE SIDEBAND MODULATORS
SSP-1R-10B CRANE

获取价格

 		Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP-1R-XXXB CRANE

获取价格

 		RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN
SSP1TKG CIT

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 		CIT SWITCH
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