5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 90 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP1N60A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSP1N60AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SSP1N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSP-1R-1000B | CRANE |
获取价格 |
950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN |
|
| SSP-1R-1000B | MERRIMAC |
获取价格 |
SINGLE SIDEBAND MODULATORS |
|
| SSP-1R-10B | MERRIMAC |
获取价格 |
SINGLE SIDEBAND MODULATORS |
|
| SSP-1R-10B | CRANE |
获取价格 |
Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN |
|
| SSP-1R-XXXB | CRANE |
获取价格 |
RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN |
|
| SSP1TKG | CIT |
获取价格 |
CIT SWITCH |
|
| SSP1TKQ | CIT |
获取价格 |
CIT SWITCH |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
