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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 550 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 90 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| SSP1N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SSP1N60A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSP1N60AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SSP1N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| SSP-1R-1000B | CRANE |
获取价格 |
950MHz - 1050MHz RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN |
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| SSP-1R-1000B | MERRIMAC |
获取价格 |
SINGLE SIDEBAND MODULATORS |
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| SSP-1R-10B | MERRIMAC |
获取价格 |
SINGLE SIDEBAND MODULATORS |
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| SSP-1R-10B | CRANE |
获取价格 |
Modulator, SSB, 9.5MHz Min, 10.5MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max, MERI-PAC R, 8 PIN |
|
| SSP-1R-XXXB | CRANE |
获取价格 |
RF/MICROWAVE SSB MODULATOR, 9dB CONVERSION LOSS-MAX, MERI-PAC R, 8 PIN |
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