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SSM6N24TU(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-23 08:35:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
6页	150K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR

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SSM6N24TU(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SSM6N24TU(TE85L,F) 数据手册

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SSM6N24TU

IDR - VDS

Common Source

VGS=0V

Ta=25°C

|Yfs| - ID

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

25°C

-25°C

IDR

Ta=100°C

Common Source

VDS=3V

Ta=25°C

100

1000

10000

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

Drain-Source voltage VDS (V)

Drain current ID (mA)

C - VDS

t - ID

Common Source

VDD=10V

VGS=0~2.5V

Ta=25°C

1000

100

1000

100

Common Source

VGS=0V

f=1MHz

Ta=25°C

Ciss

toff

ton

Coss

Crss

0.1

100

1000

10000

Drain current ID (mA)

Drain-Source voltage VDS (V)

PD* - Ta

1000

800

600

400

200

mounted FR4 board

t=10s

(25.4mm*25.4mm*1.6t

Cu Pad :645mm )

80 100 120 140 160

Ambient temperature Ta(

)

℃

*:Total Rating

2007-11-01

1 2 345 6

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