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SSM6N24TU(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-19 06:23:08

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
6页	150K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR

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SSM6N24TU(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SSM6N24TU(TE85L,F) 数据手册

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SSM6N24TU

ID - VGS

ID - VDS

1.8

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

10000

1000

100

1.6

2.0

3.0

4.0

5.0

Ta=100°C

VGS=1.4V

25°C

-25°C

0.1

Common Source

Ta=25°C

Common Source

VDS=3V

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

Drain-Source voltage VDS (V)

Gate-Source voltage VGS (V)

RDS(ON) - ID

RDS(ON) - VGS

200

180

160

140

120

100

400

Common Source

ID=500mA

Common Source

Ta=25°C

350

300

250

200

150

100

2.5V

VGS=4.5V

25°C

Ta=100°C

-25°C

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

Drain current ID (mA)

Gate-Source voltage VGS (V)

RDS(ON) - Ta

Vth - Ta

400

350

300

250

200

150

100

0.8

0.6

0.4

0.2

Common Source

ID=0.1mA

VDS=3V

Common Source

2.5V,250mA

VGS=4.5V,ID=500mA

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

Ambient temperature Ta (°C)

2007-11-01

1 234 5 6

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