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SSM3J133TU,LF PDF预览

SSM3J133TU,LF

更新时间： 2024-10-28 20:49:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 203K
描述
MOSFET P-CH 20V 5.5A

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SSM3J133TU,LF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.7
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.0298 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W表面贴装：YES
端子面层：N/S端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3J133TU,LF 数据手册

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SSM3J133TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)  
SSM3J133TU  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.5V drive  
Low ON-resistance: R  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
= 88.4 mΩ (max) (@V  
= 56.0 mΩ (max) (@V  
= 39.7 mΩ (max) (@V  
= 29.8 mΩ (max) (@V  
= -1.5 V)  
= -1.8 V)  
= -2.5 V)  
= -4.5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
R
R
R
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
-20  
± 8  
DSS  
V
V
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
I
I
(Note1)  
-5.5  
D
Drain current  
A
Pulse  
(Note1)  
(Note2)  
t<1s  
-11.0  
500  
DP  
P
D
1: Gate  
power dissipation  
mW  
1000  
2: Source  
3: Drain  
UFM  
T
°C  
°C  
Channel temperature  
150  
ch  
T
stg  
Storage temperature range  
−55 to 150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-2U1A  
weight: 6.6 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note1: The channel temperature should not exceed 150°C during use.  
Note2: Mounted on FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking  
Equivalent Circuit (Top view)  
3
3
JJL  
1
2
1
2
Start of commercial production  
2011-02  
1
2014-03-01  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3J134TU TOSHIBA

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 		Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)
SSM3J140TU TOSHIBA

获取价格

 		P-ch MOSFET, -20 V, -4.4 A, 0.0258 Ω@4.5V, SO

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