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SML50A19 PDF预览

SML50A19

更新时间： 2024-09-12 22:42:59
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SEME-LAB 高压高电压电源
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2页 24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML50A19 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.11
雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：18.5 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：74 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SML50A19 数据手册

 浏览型号SML50A19的Datasheet PDF文件第2页 
SML50A15  
TO–3 Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
25.15 (0.99)  
26.67 (1.05)  
6.35 (0.25)  
9.15 (0.36)  
10.67 (0.42)  
11.18 (0.44)  
1.52 (0.06)  
3.43 (0.135)  
POWER MOSFETS  
VDSS  
500V  
1
2
ID(cont)  
14.7A  
3
(case)  
Ω
RDS(on) 0.300  
3.84 (0.151)  
4.09 (0.161)  
7.92 (0.312)  
12.70 (0.50)  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• TO–3 Hermetic Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Source  
Case – Drain  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
500  
14.7  
58.8  
±30  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
DM  
Gate – Source Voltage  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
155  
W
case  
P
D
1.24  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
14.7  
30  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
960  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 8.89mH, R = 25Ω, Peak I = 14.7A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
12

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