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SML50L47 PDF预览

SML50L47

更新时间： 2024-10-29 22:42:59
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML50L47 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.11
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：47 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SML50L47 数据手册

 浏览型号SML50L47的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SML50L47的Datasheet PDF文件第3页 
SML50L47  
TO–264AA Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
1.80 (0.071)  
2.01 (0.079)  
N–CHANNEL  
4.60 (0.181)  
5.21 (0.205)  
19.51 (0.768)  
26.49 (0.807)  
3.10 (0.122)  
3.48 (0.137)  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
POWER MOSFETS  
VDSS  
500V  
44A  
1
2
3
2.29 (0.090)  
2.69 (0.106)  
ID(cont)  
2.79 (0.110)  
3.18 (0.125)  
RDS(on) 0.100  
0.48 (0.019)  
0.84 (0.033)  
0.76 (0.030)  
1.30 (0.051)  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
2.59 (0.102)  
3.00 (0.118)  
5.45 (0.215) BSC  
2 plcs.  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO–264 Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
G
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
500  
47  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
188  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
520  
W
case  
P
D
4.16  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
47  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
50  
E
E
AR  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
2500  
AS  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 2.26mH, R = 25 , Peak I = 47A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
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 		High Brightness Type
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 		Standard Type Mini-molded chip LEDs
SML-510MW ROHM

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