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SML50S30

更新时间： 2024-10-29 22:42:59

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲高压高电压电源
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2页	24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML50S30 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SML50S30 数据手册

SML50S26

D³PAK Package Outline.

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

4.98 (0.196)

5.08 (0.200)

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

13.41 (0.528)

13.51 (0.532)

15.95 (0.628)

16.05 (0.632)

1.47 (0.058)

1.57 (0.062)

1.04 (0.041)

1.15 (0.045)

11.51 (0.453)

11.61 (0.457)

POWER MOSFETS

13.79 (0.543)

13.99 (0.551)

0.46 (0.018)

0.56 (0.022)

3 plcs.

1.27 (0.050)

1.40 (0.055)

V_DSS

500V

26A

1.22 (0.048)

1.32 (0.052)

3.81 (0.150)

4.06 (0.160)

2.67 (0.105)

2.84 (0.112)

1.98 (0.078)

2.08 (0.082)

I_D(cont)

5.45 (0.215) BSC

2 plcs.

R_DS(on)0.200

• Faster Switching

• Lower Leakage

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Drain

Pin 3 – Source

• 100% Avalanche Tested

Heatsink is Drain.

• Surface Mount D³PAK Package

StarMOS is a new generation of high voltage

N–Channel enhancement mode power MOSFETs.

This new technology minimises the JFET effect,

increases packing density and reduces the

on-resistance. StarMOS also achieves faster

switching speeds through optimised gate layout.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain – Source Voltage

500

DSS

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

104

Gate – Source Voltage

±20

Gate – Source Voltage Transient

±30

GSM

Total Power Dissipation @ T

Derate Linearly

= 25°C

300

case

2.4

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.

–55 to 150

300

T , T

STG

°C

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Starting T = 25°C, L = 3.85mH, R = 25 , Peak I = 26A

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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