是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.1 |
雪崩能效等级(Eas): | 1300 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 50 A |
最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SML50L37 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML50L47 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML50S26 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML50S30 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML50T47 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML50W40 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
SML-51 | ROHM |
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High Brightness Type | |
SML-51_11 | ROHM |
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Original device technology enables high brightness | |
SML-510 | ROHM |
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Standard Type Mini-molded chip LEDs | |
SML-510MW | ROHM |
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Ultra-thin chip LEDs |