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SML50A23 PDF预览

SML50A23

更新时间： 2024-01-19 22:29:30
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML50A23 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-204AA包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SML50A23 数据手册

 浏览型号SML50A23的Datasheet PDF文件第2页 
SML50A23  
TO–3 Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
25.15 (0.99)  
26.67 (1.05)  
6.35 (0.25)  
9.15 (0.36)  
10.67 (0.42)  
11.18 (0.44)  
1.52 (0.06)  
3.43 (0.135)  
POWER MOSFETS  
VDSS  
500V  
23A  
1
2
ID(cont)  
Ω
RDS(on) 0.20  
3
(case)  
3.84 (0.151)  
4.09 (0.161)  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
7.92 (0.312)  
12.70 (0.50)  
• TO–3 Hermetic Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Source  
Case – Drain  
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
500  
23  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
84  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
235  
W
case  
P
D
1.88  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
21  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1300  
AS  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 5.90mH, R = 25Ω, Peak I = 23A  
J
G
L
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
Document Number 5964  
Issue 1  
E-mail: sales@semelab.co.uk  
Website: http://www.semelab.co.uk  
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