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SML50A23 PDF预览

SML50A23

更新时间： 2024-02-11 18:05:21
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML50A23 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-204AA包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SML50A23 数据手册

 浏览型号SML50A23的Datasheet PDF文件第1页 
SML50A23  
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 250µA  
500  
V
DSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
= V  
25  
DSS  
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
250  
GS  
DSS  
C
I
Gate – Source Leakage Current  
= ±30V , V  
= 0V  
±100 nA  
GSS  
DS  
V
Gate Threshold Voltage  
= V  
> I  
, I = 1.0mA  
D
2
4
V
A
Ω
GS(TH)  
GS  
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
I
On State Drain Current  
23  
D(ON)  
= 10V  
= 10V , I = 0.5 I [Cont.]  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
0.20  
DS(ON)  
D
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
C
C
C
Input Capacitance  
V
V
= 0V  
3700 4440  
iss  
GS  
DS  
Output Capacitance  
= 25V  
510  
200  
150  
25  
715  
300  
225  
37  
pF  
nC  
oss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance  
f = 1MHz  
3
Q
Q
Q
t
Total Gate Charge  
V
V
= 10V  
g
GS  
DD  
Gate – Source Charge  
Gate – Drain (“Miller”) Charge  
Turn–on Delay Time  
Rise Time  
= 0.5 V  
DSS  
gs  
gd  
I = I [Cont.] @ 25°C  
70  
105  
25  
D
D
V
= 15V  
12  
d(on)  
GS  
t
t
t
V
= 0.5 V  
10  
20  
r
DD  
DSS  
ns  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
I = I [Cont.] @ 25°C  
50  
75  
d(off)  
f
D
D
R
= 1.6Ω  
8
15  
G
SOURCE – DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
I
I
Continuous Source Current (Body Diode)  
1
23  
A
S
Pulsed Source Current  
Diode Forward Voltage  
(Body Diode)  
84  
SM  
2
V
V
= 0V , I = – I [Cont.]  
1.3  
V
SD  
GS  
S
D
t
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
I = – I [Cont.] , dl / dt = 100A/µs  
510  
10  
ns  
µC  
rr  
S
D
s
Q
I = – I [Cont.] , dl / dt = 100A/µs  
S D s  
rr  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Min. Typ. Max. Unit  
R
R
Junction to Case  
0.53  
°C/W  
30  
θJC  
Junction to Ambient  
θJA  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
3) See MIL–STD–750 Method 3471  
CAUTION — Electrostatic Sensitive Devices. Anti-Static Procedures Must Be Followed.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
Document Number 5964  
Issue 1  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
12

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