Datasheet > SMJ55166-75GBM

SMJ55166-75GBM

更新时间： 2024-11-21 19:36:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	2833K
描述
256KX16 VIDEO DRAM, 75ns, CPGA68, CERAMIC, PGA-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMJ55166-75GBM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	PGA, PGA68,9X9
针数：	68	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.73	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	75 ns	其他特性：	RAS ONLY CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 16 SAM PORT
JESD-30 代码：	S-CPGA-P68	长度：	24.38 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	VIDEO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	68
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA68,9X9	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.23 mm
最大待机电流：	0.012 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.225 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	24.38 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...59

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ55166-75HKCM	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 75ns, CDFP64, CERAMIC, DFP-64
SMJ55166-80GBM	TI	获取价格	暂无描述
SMJ55166-80HKCM	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 80ns, CDFP64, CERAMIC, DFP-64
SMJ5517-15JDM	TI	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC
SMJ5C1008-20HM	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32
SMJ5C1008-20JDC	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP32
SMJ5C1008-25HM	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDSO32
SMJ5C1008-25JDC	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP32
SMJ5C1008-25JDCM	ROCHESTER	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
SMJ61CD16-25JDM	TI	获取价格	16KX1 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP20