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SMJ55166-80HKCM

更新时间： 2024-09-08 19:36:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	2833K
描述
256KX16 VIDEO DRAM, 80ns, CDFP64, CERAMIC, DFP-64

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SMJ55166-80HKCM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	GDFP, TPAK64,1.6SQ,20
针数：	64	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.56	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-CDFP-F64	长度：	18.985 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	VIDEO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	GDFP	封装等效代码：	TPAK64,1.6SQ,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, GUARD RING
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.81 mm
最大待机电流：	0.012 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.985 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ5517-15JDM	TI	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC
SMJ5C1008-20HM	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32
SMJ5C1008-20JDC	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP32
SMJ5C1008-25HM	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDSO32
SMJ5C1008-25JDC	TI	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP32
SMJ5C1008-25JDCM	ROCHESTER	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
SMJ61CD16-25JDM	TI	获取价格	16KX1 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP20
SMJ61CD16-25JDM	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20
SMJ61CD16-35FGM	TI	获取价格	16KX1 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC20
SMJ61CD16-35FGM	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CQCC20