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SMG2D60C

更新时间： 2024-09-12 22:21:39

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描述
THYRISTOR(Through Hole/Non-isolated)

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SMG2D60C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大漏电流：	1 mA
通态非重复峰值电流：	30 A	最大通态电流：	2000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SMG2D60C 数据手册

(

)

THYRISTOR Through Hole/Non-isolated

SMG2D60C

(

)

Sensitive Gate

Thyristor SMG2D60C is designed for full wave AC control applications.

TO-251

It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

6.60ꢀ±0.20

5.34ꢀ±0.30

2.30ꢀ±0.10ꢀ

0.50ꢀ±0.10ꢀ

TC POINT

Typical Applications

●

Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications

●

Industrial Use

: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater

Controls, other control applications

1.07

0.96ꢀ±0.20

0.76ꢀ±0.20

Features

0.50ꢀ±0.10

●

IT(AV)=2A

High Surge Current

Low Voltage Drop

Lead-Free Package

1 K

2 A

3 Gate

2.30ꢀ±0.20

Unit：mm

Identifying Code：S2D6C

■Maximum Ratings

（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Symbol

Item

Reference

Ratings

600

720

600

Unit

VRRM

V^RSM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Off-State Voltage

Average On-State Current

R.M.S. On-State Current

Surge On-State Current

V^DRM

IT（AV）

IT（RMS）

I^TSM

Single phase, half wave, 180°, conduction, Tc＝108℃

50Hz/60Hz, ¹／ cycle Peak value, non-repetitive

3.1

30 33

I t

4.5

A S

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current

0.5

G（AV）

0.1

I^FGM

VFGM

V^RGM

0.3

Peak Gate Voltage（Forward）

Peak Gate Voltage（Reverse）

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

－40～＋125

－40～＋150

0.39

℃

Tstg

Mass

■Electrical Characteristics

Ratings

Symbol

Item

Reference

Unit

Min.

Typ.

Max.

I^DRM

I^RRM

VTM

I^GT

Repetitive Peak Off-State Current

Repetitive Peak Reverse Current

Peak On-State Voltage

Gate Trigger Current

Gate Trigger Voltage

Non-Trigger Gate Voltage

Holding Current

Tj＝125℃, VD

＝

VDRM

RGK＝220

Tj＝125℃, V^R

＝

V^RRM, R^GK＝220

1.5

200

0.8

I^T＝6A

Inst. measurement

μA

VD＝6

, RL＝10Ω

V^GT

VGD

I^H

0.1

Tj＝125℃, V^D

R^GK＝220

Junction to case

＝

／V^DRM

R^GK＝220Ω

3.5

（

）

Rth j-c

Thermal Resistance

5.8

℃ W

SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMG2D60D	SANREX	获取价格	THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated)
SMG30	TE	获取价格	Voltage-Controlled Attenuator Module 100 to 2000 MHz
SMG30	MACOM	获取价格	Voltage Controlled Module
SMG3018K	SECOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
SMG315VB101M20X30LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 315V, 100uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SMG315VB121M20X30LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 315V, 120uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SMG315VB151M20X35LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 315V, 150uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
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SMG315VB181M22X35LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 315V, 180uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SMG315VB221M22X40LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 315V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, R

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