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SMBD2835

更新时间: 2024-11-13 22:21:39
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英飞凌 - INFINEON 二极管开关
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4页 104K
描述
Silicon Switching Diode Array

SMBD2835 数据手册

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Silicon Switching Diode Array  
SMBD 2835  
SMBD 2836  
For high-speed switching applications  
Common anode  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
SMBD 2835  
SMBD 2836  
sA3  
sA2  
Q68000-A8547  
Q68000-A8436  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
SMBD 2835 SMBD 2836  
Reverse voltage  
V
V
R
30  
35  
50  
75  
V
Peak reverse voltage  
Forward current  
RM  
IF  
200  
mA  
A
Surge forward current, t = 1 µs  
IFS  
4.5  
330  
Total power dissipation, T  
S
= 31 ˚C  
P
tot  
mW  
˚C  
Junction temperature  
T
T
j
150  
Storage temperature range  
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
500  
360  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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