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SMBD7000

更新时间: 2024-11-13 22:21:39
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Silicon Switching Diode Array

SMBD7000 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:End Of Life包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.13Is Samacsys:N
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.33 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMBD7000 数据手册

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Silicon Switching Diode Array  
SMBD 7000  
For high-speed switching applications  
Connected in series  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
SMBD 7000  
s5C  
Q68000-A8440  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
100  
Unit  
Reverse voltage  
V
R
V
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
RM  
100  
IF  
200  
mA  
A
Surge forward current, t = 1 µs  
IFS  
4.5  
Total power dissipation, T  
S
= 31 ˚C  
P
tot  
330  
mW  
˚C  
Junction temperature  
T
j
150  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
500  
360  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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