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SMBD7000E6327

更新时间: 2024-11-20 15:51:43
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 67K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

SMBD7000E6327 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:5.08Is Samacsys:N
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.7 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:4.5 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.33 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.015 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMBD7000E6327 数据手册

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SMBD7000/MMBD7000...  
Silicon Switching Diode Array  
For high-speed switching applications  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
SMBD7000/MMBD7000  
3
D
1
D
2
1
2
Type  
SMBD7000/MMBD7000  
Package  
Configuration  
series  
Marking  
SOT23  
s5C  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
100  
RM  
200  
mA  
A
I
F
Non-repetitive peak surge forward current  
t = 1 µs  
I
FSM  
4.5  
0.5  
330  
t = 1 s  
mW  
°C  
Total power dissipation  
P
tot  
T 28°C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
2)  
K/W  
Junction - soldering point  
R
360  
thJS  
SMBD7000/MMBD7000  
1
Pb-containing package may be available upon special request  
2
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
2007-03-28  
1

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