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SMBD914E6327HTSA1

更新时间: 2024-11-20 15:51:43
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

SMBD914E6327HTSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:4 weeks风险等级:6.3
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.37 W认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMBD914E6327HTSA1 数据手册

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SMBD914/MMBD914...  
Silicon Switching Diode  
For high-speed switching applications  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
SMBD914/MMBD914  
3
1
2
Type  
Package  
Configuration  
Marking  
SMBD914/MMBD914  
SOT23  
single  
s5D  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
100  
RM  
250  
mA  
A
I
F
Non-repetitive peak surge forward current  
t = 1 µs  
I
FSM  
4.5  
0.5  
370  
t = 1 s  
mW  
°C  
Total power dissipation  
P
tot  
T 54°C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
2)  
K/W  
Junction - soldering point  
R
260  
thJS  
SMBD914/MMBD914  
1
Pb-containing package may be available upon special request  
2
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
2007-03-28  
1

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