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SMBD7000E6433

更新时间： 2024-11-20 15:51:43

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	67K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon

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SMBD7000E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.7 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	4.5 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.015 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SMBD7000E6433 数据手册

SMBD7000/MMBD7000...

Silicon Switching Diode Array

• For high-speed switching applications

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

SMBD7000/MMBD7000

Type

SMBD7000/MMBD7000

Package

Configuration

series

Marking

SOT23

s5C

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

100

200

Non-repetitive peak surge forward current

t = 1 µs

FSM

4.5

0.5

330

t = 1 s

°C

Total power dissipation

tot

T ≤ 28°C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction - soldering point

≤ 360

thJS

SMBD7000/MMBD7000

Pb-containing package may be available upon special request

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

2007-03-28

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