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SMBD2835E6327

更新时间: 2024-09-26 21:20:23
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
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4页 81K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, Silicon

SMBD2835E6327 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.58配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.33 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SMBD2835E6327 数据手册

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