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SKM400GB124D

更新时间: 2024-01-18 11:45:13
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 747K
描述
Low Loss IGBT Modules

SKM400GB124D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):570 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7JESD-609代码:e3/e4
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2500 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN/SILVER端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):736 ns标称接通时间 (ton):150 ns
VCEsat-Max:2.85 V

SKM400GB124D 数据手册

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SKM 400GB124D  
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SKM 400GB124D  
SKM 400GAL124D  
SKM 400GAR124D  
 
 5 13 ꢗꢘE ꢘꢄꢅAE ? 5 163 7,  
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Characteristics  
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ꢗF  
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- 5 C33 /E ? 5 ꢉ126  7,  
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C26  
1
19-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  

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