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SKM40GD121D

更新时间: 2024-02-26 08:31:17
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网电动机控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 301K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

SKM40GD121D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-D17元件数量:6
端子数量:17最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1800 W最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):200 ns
标称接通时间 (ton):50 nsVCEsat-Max:3.8 V
Base Number Matches:1

SKM40GD121D 数据手册

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