Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM40GD123D

SKM40GD123D

更新时间： 2024-02-21 02:34:26

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
1页	109K
描述
SEMITRANS IGBT Modules New Range

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKM40GD123D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	CASE D 67, SEMITRANS 6, 17 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X17	JESD-609代码：	e2
元件数量：	6	端子数量：	17
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	440 ns	标称接通时间 (ton)：	125 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM40GD123D_06	SEMIKRON	获取价格	Standard IGBT modules
SKM40GD123D_09	SEMIKRON	获取价格	IGBT modules
SKM40GD123DL	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D67, 17 PIN
SKM40GD124D	SEMIKRON	获取价格	Low Loss IGBT Modules
SKM40GDL123D	SEMIKRON	获取价格	Standard IGBT modules
SKM450GB12E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM450GB12E4D1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM450GB12T4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM450GB12T4D1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM450GB33F	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 20 (140x100x38)