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SKM450GB12E4D1

更新时间： 2023-12-06 20:07:39

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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6页	558K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)

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SKM450GB12E4D1 数据手册

SKM450GB12E4D1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

699

538

450

1350

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

V_CC= 800 V

SEMITRANS^®3

IGBT4 Modules

SKM450GB12E4D1

Features*

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

623

466

500

1000

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• IGBT4 = 4th generation medium fast

trench IGBT (Infineon)

2736

-40 ... 175

°C

• CAL4 = Soft switching 4th generation

CAL-diode

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Insulated copper baseplate using DBC

technology (Direct Bonded Copper)

• Increased power cycling capability

• With integrated gate resistor

• For higher switching frequencies up to

12kHz

500

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

Characteristics

• UL recognized, file no. E63532

• SKM…D1: increased diode

performance

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 450 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.84

2.23

2.07

2.42

Typical Applications

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• AC inverter drives

• UPS

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

2.3

3.4

5.8

0.90

0.80

2.6

3.6

6.5

mΩ

chiplevel

Remarks

• Case temperature limited

to T_c= 125°C max.

• Recommended T_op= -40 ... +150°C

• Product reliability results valid

for T_j= 150°C

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 16.4 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

27.2

1.76

1.50

2500

1.9

253

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 450 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 1 Ω

505

112

di/dt_on= 8100 A/µs

di/dt_off= 3400 A/µs

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.062

K/W

0.028

0.017

R_th(c-s)

K/W

Rev. 1.0 – 11.09.2019

12 3 4 5 6

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