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SKM400GM17E4

更新时间： 2023-12-20 18:46:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 561K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)

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SKM400GM17E4 数据手册

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SKM400GM17E4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
614  
474  
400  
1200  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
SEMITRANS® 3  
IGBT4 Modules  
SKM400GM17E4  
Features*  
VCC = 1000 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
CES ≤ 1700 V  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
443  
327  
800  
2340  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• IGBT4 = 4th generation medium fast  
trench IGBT (Infineon)  
-40 ... 175  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
• CAL4 = Soft switching 4th generation  
CAL-Diode  
• Insulated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• With integrated Gate resistor  
• For switching frequencies up to 8kHz  
• UL recognized, file no. E63532  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Visol  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications  
• Matrix Inverter  
• Bidirectional switch  
IC = 400 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.92  
2.30  
2.20  
2.60  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
Remarks  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.80  
0.70  
2.8  
4.0  
5.8  
0.90  
0.80  
3.3  
4.5  
6.4  
5
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 16 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1700 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5.2  
36.0  
1.36  
1.16  
3200  
1.9  
280  
45  
157  
760  
140  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 1200 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 400 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 2 Ω  
G off = 1 Ω  
di/dton = 10000 A/  
µs  
di/dtoff = 2300 A/µs  
dv/dt = 5600 V/µs  
Tj = 150 °C  
Eoff  
180  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
0.066  
K/W  
K/W  
0.028  
0.017  
Rth(c-s)  
K/W  
GM  
© by SEMIKRON  
Rev. 2.0 – 10.09.2020  
1
123456

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SKM400GXXX SEMIKRON

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